案例概要:
客户企业包含半导体元器件和芯片项目,成品(分立器件、电源管理IC)和晶圆两大类,覆盖二极管、桥堆、三极管、第三代半导体,以及以LDO、DC-DC、锂电保护为代表的电源管理IC产 品。在企业的日常生产过程中会产生大量的高浓度废水,且废水种类多,水质复杂,兴环科技根据企业情况,针对不对种类废水进行预处理,再进行深度处理,最终使得生产及生活污水出水达到《电子工业污染物排放标准》(GB 39731-2020)中表1间接排放限值按照。
处理量: 150m³/d(生产污水)+100m³/d(生活污水)
进水浓度: 10000mg/L
出水浓度: ≤500mg/L
项目特点: 250m³/d半导体电子生产废水处理
工程描述
客户企业的日常生产经营过程中会产生大量的高浓度废水,且废水种类多,水质复杂,兴环科技根据客户情况,针对不对种类废水进行预处理,再进行生化处理,深处处理,最终使得生产及生活污水出水达到《电子工业污染物排放标准》(GB 39731-2020)中表1间接排放限值,水污染物锡参考《锡、锑、汞工业污染物排放标准》(GB 30770-2014)表2排入园区污水厂。
设计原则 :
1、应用已成功实践的处理设施,选择成熟可靠的处理工艺,使各项指标运行稳定,效率高,出水水质优于排放标准。
2、使用的设备与装置构件合理、投资省、占地少、运行费用低、操作简单、 维护方便。
3、在设计中充分考虑了设备产生的二次污染,合理解决系统及沉淀池中的污 泥和设备噪声污染。
4、在工艺设计时,有较大的灵活性、可调性,以适应水量、水质的周期变化。
5、工艺中的产品设计科学合理,实现了标准化、工艺化生产,保证系统处理的标准和质量,从而确保处理效果好,使用寿命长等优点。
6、相关设计与周边环境相协调。
7、设计选址尽可能适应地形、坡降,以便降低运行能耗。
设计进出水质
根据业主提供的资料及要求,结合兴环科技以往实际运行经验分析,决定设计进水水质如下:
pH:6-9
COD:10000mg/L
氨氮:600mg/L
废水经污水处理站处理后达到《电子工业污染物排放标准》(GB 39731-2020)中表1间接排放限值,水污染物锡参考《锡、锑、汞工业污染物排放标准》(GB 30770-2014)表2排入园区污水厂,客户具体出水指标如下表:
序号 | 项目 | 进水设计指标 |
1 | CODcr | ≤480mg/l |
2 | BOD5 | ≤300mg/l |
3 | 氨氮 | ≤35mg/l |
4 | 总氮 | ≤45mg/l |
5 | 总磷 | ≤5mg/l |
6 | SS | ≤400mg/l |
7 | 大肠菌群数 | ≤1000 |
8 | 铜 | ≤0.5mg/l |
9 | 锡 | ≤2mg/l |
10 | PH | 6—9 |
废水处理工艺技术分析
在该电子半导体及芯片企业废水处理项目中不同类型经预处理后的污水经如下工艺流程处理:调节+中和+混凝沉淀+气浮+生化处理+石英砂+活性炭过滤。出水达标排放。